蚀刻是一种常见的微纳加工技术，用于在微纳米尺度下制造器件和结构。在形成掩膜之后，通过物理或者化学手段对沉积的薄膜进行蚀刻来形成图样。
面临的问题
刻蚀面临的问题
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- 均匀性；
- 速率：快到足够实用，又慢到可以控制；
- 选择比：腐蚀目标材料相对于蒙版腐蚀速率的比率（应大）；
- 各向异性：腐蚀速率的方向依赖性；
- 副产品：挥发性或易于去除，并且安全。
分类
在 IC 制造中，蚀刻可分为干法刻蚀与湿法蚀刻。湿法蚀刻成熟、简单并且廉价。
湿法刻蚀
湿法蚀刻
湿法腐蚀指利用化学的液体与物质进行化学反应。属于等向性的蚀刻。
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掩膜侵蚀（mask erosion）
掩膜侵蚀
对于各向同性和各向异性蚀刻剖面，掩膜侵蚀都可能是一个问题。
在各向同性的蚀刻中，矩形掩膜的蚀刻量
在纵向和横向上都是一样的，从而导致下蚀的量增加。 [! question] 为什么会导致下蚀的量增加？ 下蚀的量和掩膜在横向上的消耗有关。横向上消耗越多，暴露出来的材料的侧壁越多。
在完全各向异性的蚀刻过程中，只要掩膜未被完全消耗，掩膜侵蚀就不是一个值得关注的问题。但是，掩膜形状通常不是完美的矩形，而是圆角或斜边。即使是完全各向异性的蚀刻，也会造成下蚀。
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干法刻蚀
干法蚀刻
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