NMOS 由栅极（gate）、源极（source）、漏极（drain）和 MOSFET 衬底（substrate、body）构成。以上部分组成了两个 pn 结（源极-衬底结和漏极衬底结），但它们始终保持反向偏压。栅极和衬底之间有氧化层隔断。
栅极
栅极，顾名思义，是一个起控制作用的部分。在栅极不走电流，因此 NMOS 也被称作绝缘栅场效应管。栅极、氧化物层以及衬底构成了类似电容器的结构，叫 MOS 电容器。
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源极
在 NMOS 中，源极和漏极的构成完全相同，使他们形成区别的是在结构上设计的电路。在栅极施加电压的时候，电子从源极向漏极传导以形成电流。
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漏极
在 NMOS 导通的时候，电流从漏极传输到源极，漏极是电子离开 NMOS 的地方
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MOSFET 衬底
用以形成沟道和 PN 结的部分。通常接地，电压为 0V。
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除此之外，还有