体效应是指，当 NMOS 源端电势大于衬底电势（）时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸收到衬底上 (因为此时相对而言衬底更负)，留下更多不能移动的负离子（负电中心），使得耗尽层展宽。阈值电压升高。

体效应系数

体效应系数

为氧化层厚度；为氧化层介电常数；电子电荷绝对值；硅的介电常数；衬底区域的杂志浓度；氧化层的电容密度；对于 NMOS 而言为正，对 PMOS 而言为负。
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阈值表面电压

阈值表面电压计算式

为 p 型硅衬底费米势。
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阈值表面电压就是刚刚开始耗尽层刚刚开始反型的时候的栅极电压。

阈值电压计算式

为零偏置阈值电压；为体效应系数；为阈值表面电压；为源衬电势差。
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