复合和产生的物理机制

直接复合

EHP：电子空穴对

温度越高，导带电子浓度和价带空穴浓度浓度越大，越容易复合

单位时间单位体积复合数目； ：俘获系数，含 T

N 自由电子，p 空穴，阴影是价电子 左曲线，导带中自由电子与价带中的空穴复合；右曲线，价电子产生自由电子

热平衡状态下，

深能级杂质（E_t）基本不电离，每 60meV 降低为十分之一 浅能级杂质容易电离

非直接复合

SRH 复合

SRH 复合是 和 等间接带隙半导体的主要复合机制。

这种复合是非辐射的，载流子的过剩能量产生声子（晶格振动）。这涉及一个复合中心，一般是晶格缺陷，如位错（dislocations）、杂质原子（impurity atoms）。

当复合中心处于最中间时复合率最高。

动力学原理

电子从导带到复合中心，随后再到价带与空穴复合，并产生声子损失能量。

对于 P 型硅中的小注入电子而言，

P 型硅体内复合率计算式

为电子少子寿命； 为热平衡电子浓度； 为电子浓度

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