当载流子浓度从平衡状态受到扰动时（如受到光照或从结点注入），载流子浓度会自然回归到平衡值。这是因为平衡态是能量最低、最稳定的状态。这种恢复平衡的过程涉及过剩载流子的复合。
半导体中的主要复合机制：
- 直接带间辐射转变*（光子）
- 奥杰（奥谢）转变*（另一种载流子）
- 肖克利-雷德-霍尔（Shockley-Read-Hall）复合 *对 Si 和 Ge 不重要
复合和产生的物理机制
复合和产生的物理机制
直接复合
EHP：电子空穴对
温度越高，导带电子浓度和价带空穴浓度浓度越大，越容易复合
单位时间单位体积复合数目；
：俘获系数，含 T N 自由电子，p 空穴，阴影是价电子 左曲线，导带中自由电子与价带中的空穴复合；右曲线，价电子产生自由电子
热平衡状态下，
深能级杂质（E_t）基本不电离，每 60meV 降低为十分之一 浅能级杂质容易电离
非直接复合
指向原始笔记的链接SRH 复合
SRH 复合是
和 等间接带隙半导体的主要复合机制。 这种复合是非辐射的，载流子的过剩能量产生声子（晶格振动）。这涉及一个复合中心，一般是晶格缺陷，如位错（dislocations）、杂质原子（impurity atoms）。
当复合中心处于最中间时复合率最高。
动力学原理
电子从导带到复合中心，随后再到价带与空穴复合，并产生声子损失能量。
对于 P 型硅中的小注入电子而言，
指向原始笔记的链接P 型硅体内复合率计算式
指向原始笔记的链接
为电子少子寿命； 为热平衡电子浓度； 为电子浓度
