SRH 复合是 和 等间接带隙半导体的主要复合机制。 这种复合是非辐射的，载流子的过剩能量产生声子（晶格振动）。这涉及一个复合中心，一般是晶格缺陷，如位错（dislocations）、杂质原子（impurity atoms）。 当复合中心处于最中间时复合率最高。 动力学原理 电子从导带到复合中心，随后再到价带与空穴复合，并产生声子损失能量。 对于 P 型硅中的小注入电子而言， P 型硅体内复合率计算式复合率 为电子少子寿命； 为热平衡电子浓度； 为电子浓度指向原始笔记的链接
