随着栅极电压到达两倍 p 型硅衬底的费米势时，耗尽层达到最宽。沟道并由此开始反型。此时的 的值称为阈值电压 ，有计算式， 阈值电压计算式 为零偏置阈值电压； 为体效应系数； 为阈值表面电压； 为源衬电势差。指向原始笔记的链接 一般说 都是使用的经验参数，即 时的阈值电压，但是这里也可以给出一个不精确的解析表达式， 零偏置阈值电压计算式 为金属半导体功函数差； 为 p 衬底的费米势； 为受体离子浓度； 纯硅中的本征载流子浓度； 为任意反偏电压下，源至衬底电压 为零时，空间电荷层中的电荷量； 为植入电荷； 为固定正电荷； 为单位面积栅极氧化电容指向原始笔记的链接