为金属半导体功函数差； 为 p 衬底的费米势； 为受体离子浓度； 纯硅中的本征载流子浓度； 为任意反偏电压下，源至衬底电压 为零时，空间电荷层中的电荷量； 为植入电荷； 为固定正电荷； 为单位面积栅极氧化电容