理想功率器件
- On-resistance=0
- 无能量耗散
- Breakdown voltage
- 耐用
- Capacitance
- 开关速度块
- Free
- 器件结构优秀，材料导电能力强
- Long life and easy
- 电应力、热应力、机械应力
Info
间接复合的逆过程产生的电流；SRH
通常 off，增强型 通常 on，耗尽型
理想功率器件的发展
Transclude of 晶闸管.canvas
Transclude of GCT
Transclude of IGCT
功率MOSFET
功率 MOSFET 是特定类型的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高开关速度和低压下的效率并且驱动容易。功率 MOSFET 广泛应用于中低压开关，如 DC-DC 变换器和部分 DC-AC 变换器中。
功率 MOSFET 的结构 功率 MOSFET 的符号 功率 MOSFET 的优点
指向原始笔记的链接
功率 MOSFET 的结构
将普通 MOSFET 改造成垂直结构，并增加N-以提高耐压能力。
功率 MOSFET 的现结构由 LDMOS 发展过来。一般
指向原始笔记的链接， 的值在掺杂浓度都确定的情况下，会受到 PN 结的结面形状的影响。根据高斯定理可知，曲率效应的存在会使得栅源电压的增加而 减小。
2023-09-05 IGBT
IGBT
绝缘栅双极型晶体管是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。
指向原始笔记的链接
Power Rectifier
包含 Power PiN diode（多子器件）/Power SBD（少子器件）
肖特基二极管电流公式
指向原始笔记的链接
Power IC 由信号控制部分和功率二极管两个部分组成。一般控制部分面积占比更小，
半桥、H 桥推挽驱动。
BCD process
Bipolar Cmos Diode