将普通 MOSFET 改造成垂直结构，并增加N-以提高耐压能力。 功率 MOSFET 的现结构由 LDMOS 发展过来。一般 ， 的值在掺杂浓度都确定的情况下，会受到 PN 结的结面形状的影响。根据高斯定理可知，曲率效应的存在会使得栅源电压的增加而 减小。
