电导调制效应

基区电导调制效应指的是，当 较大时，发射极向集电极大量注入少子，从而引起了基极多子累积 (并维持与少子有相同的浓度梯度)，使得基极电阻率下降，电导率上升。

这是导致 IC 在高 下降低的另一个效应。

1. 在高水平的电子注入下，基极中的空穴浓度必须通过热生成而增加，以保持电荷中性（指电流连续性）。
2. 此外，注入的电子会增加 BC 结基极侧的负空间电荷。这减少了耗尽宽度并增加了准中性基极宽度 。

从上图可以看出，当大注入的时候，BC 结中基区的耗尽区的电子浓度更高，由此耗尽区宽度减小，基区准中性宽度增加；而集电极的耗尽区空穴浓度降低，由此需要更宽的耗尽区。

基极古梅尔数计算式

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(1) 和 (2) 都增加了基极古梅尔数并降低了 。