单晶硅的区熔法生长

原料

区熔法的原料是多晶硅棒。

方法

利用热能在半导体的一端产生一个熔区，熔接单晶籽晶，调节温度使熔区向另一边移动，通过整根棒料生长出一根单晶。

特点

• 熔化部分由固体支撑，不需要坩埚，可以大幅减少 O、C 杂质含量；
• 可在真空中进行；
• 由于大部分杂质的固液分凝系数 k0«1，利用多次区熔扫描可得到较高纯度的单晶 Si。

局限性

这种方法的局限性主要有两点：

• 很难引入均匀的掺杂；很难生产大直径单晶；
• 上述两点限制使得 FZ 法 Si 单晶之是用于少量需要高纯（高阻）单晶的场合。

附录

笔记来源