PN 结是一种由 P 型半导体和 N 型半导体材料结合而成的结构。
在 PN 结中，P 型半导体具有正电荷的载流子，称为空穴（holes），而 N 型半导体具有负电荷的载流子，称为电子（electrons）。
在 pn 结相接处，会形成一个耗尽层。pn 结两边的耗尽区宽度为，
总的耗尽层宽度为，耗尽层宽度关系
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耗尽层总宽度定义式
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为 n 区耗尽区宽度； 为 p 区耗尽区宽度； 为相对介电常数； 为绝对介电常数； 为内建电势差； 为电子电荷量； 为受主原子掺杂浓度； 为施主原子掺杂浓度
正偏电压下 pn 结 n 区内少子空穴浓度计算如下，
正偏电压下 pn 结 p 区内少子电子浓度计算式正偏电压下 pn 结 n 区内少子空穴浓度计算式
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为 n 区热平衡少子空穴浓度； 为 PN 结上的外加偏压
正偏电压下 pn 结 p 区内少子电子浓度计算式
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为 p 区热平衡少子电子浓度； 为 PN 结上的外加偏压