MOCVD(金属有机化学气相沉积)的基本反应动力学通常由以下几个步骤组成:

  1. 金属有机前体进入气相,经过热解或裂解分解为金属和有机物分子。
  2. 金属原子被激发并与气相中的反应物相互作用,形成气相金属化合物的中间体。
  3. 中间体被输运到衬底表面,并在表面上发生反应,从而沉积金属化合物薄膜。
  4. 反应产物在表面上扩散和重新排列,形成所需的晶体结构。

MOCVD 的运输限制增长

增长率公式

为常数; 为活化能; 为气体常数; 为温度。

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生长速率对温度的依赖性很小。