MOCVD 的运输限制增长

MOCVD 的运输限制增长是指在 MOCVD 生长薄膜时，由于反应物分子之间的输运过程限制了反应速率，导致反应不能充分发生的情况。

这通常发生在生长高质量、厚度较大的晶体时，因为在这种情况下，需要更多的反应物分子才能完成晶体的生长。同时，反应物分子在 MOCVD 生长过程中需要通过气相输运到达表面，因此气相输运和表面反应都会影响生长速率和晶体质量。运输限制增长可以通过增加反应物浓度、提高反应温度、增加反应压力等方法来克服。