光刻分辨率
概念
光刻分辨率是指将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力。具体指仪器能够分辨远处两件细小物件下，它们所形成的最小夹角。角分辨度是光学仪器解像能力的量度，角分辨度愈小，解像能力愈高。角分辨度常以瑞利判据作为标准。
Transclude of 最小线宽计算公式
提高光学光刻分辨率的若干技术
更短波长的光源
主要的提高分辨率的方法。
- g line
- i line
- KrF 准分子激光
- ArF 准分子激光
- EUV
- 可见光范围是 400 nm - 700 nm
ArF 准分子激光（193nm）是目前广泛使用的光源，进一步缩小波长一方面受到没有足够功率和稳定性激光器的限制，另一方面也受到光线大气吸收的限制。
高数值孔径 NA
除了通过降低光波长来提升光刻的分辨率之外，刚刚提过，我们还可以通过提高中间介质的折射常数来提高 NA，进而提高光刻的分辨率。这就是浸润式光刻技术，英文叫 immersion lithography