光刻机

概念

总的来说光刻机就是将掩膜板上的图形与前次工序中已刻在硅片上的图形对准后，再将硅片表面的光刻胶进行曝光实现图形复制的设备。

光刻机的三个主要性能指标

1. 光刻分辨率：是可以曝光出来的最小特征尺寸。
2. 对准和套刻精度：是描述光刻机加工图形重复性能的一个指标，是层间套刻精度的度量，主要取决于掩膜板和硅片的支撑平台图形对准和移动控制精度性能。
3. 产率：指每小时可加工的硅片数。

重要公式

1. Minimum feature resolution
2. Depth of Focus

   DOF 公式

   式中， 是一个与具体的曝光系统及光刻胶工艺特性有关的常数； 是光波长； 是数值孔径。

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可见光刻过程中，数值孔径对于分辨率和景深的影响都非常大，但是我们可以通过 CMP 工艺抛光硅片，从而减少了景深的影响。仅仅关注分辨率，于是我们需要缩短光波的波长。

附录

笔记来源