点接触晶体管,即上图中红圈位置。它由 n 型锗(
将薄金箔放在“三角形”片上,并用剃刀非常仔细地切割三角形的尖端,使两片金箔彼此非常接近(约 50 微米)。一个称为发射极,另一个称为集电极。支撑线将三角形片压在 Ge 基座上并形成两个“肖特基接触”。一种是正向偏置,另一种是反向偏置。
点接触晶体管,即上图中红圈位置。它由 n 型锗(
将薄金箔放在“三角形”片上,并用剃刀非常仔细地切割三角形的尖端,使两片金箔彼此非常接近(约 50 微米)。一个称为发射极,另一个称为集电极。支撑线将三角形片压在 Ge 基座上并形成两个“肖特基接触”。一种是正向偏置,另一种是反向偏置。