对于 BJT 紧凑模型的理解

忽略所有寄生电阻以及相关压降

这一个很好理解，就是为了简化模型，但是注意这里并没有忽略寄生电容。

忽略基区中发生的复合

为什么能忽略复合？

为什么可以忽略基极中的复合

p 型硅中的典型少数载流子寿命 。我们定义 为晶体管频率响应的表征。

晶体管频率响应远远小于目前的晶体管工作频率。渡越所需要的时间远远小于少子的寿命，由此可以忽略基极中的复合。

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简而言之，复合之所以会发生，是因为少子能在其寿命之内渡越基区。如果少子的寿命不足以支持其渡越基区，其就会和空穴复合。

集电极电流仅由从发射极注入基极的电子产生，基极电流由从基极注入到发射极的空穴产生

第三、四个假设需要一起看，这里可以配合 BJT 电流模型来理解。 在紧凑模型的假设下，BJT 的电流模型被简化到只有电流 和电流 。基极电流 全部称为空穴注入到发射极；发射极电流一部分由注入的空穴构成，一部分由从发射极注入到基极的电子构成；集电极电流完全来自于从发射极注入到基极的电子。

由此也能很明白地看清基极电流 是如何在调控 。

其实这里也和第二个假设相辅相成，没有了复合，也就没有了上图中的电流 和电流 。同时还忽略了从集电极注入到基极的空穴和基极注入到集电极的电子。

紧凑模型的载流子分析如下，