电荷层近似

反转电荷恰好位于硅表面并形成厚度为零的电荷层。反型层上没有电势降。

注：使用 CSA，可以找到漏极电流的解析解。

电荷层（charge sheet）下方是耗尽区。由于强反转的开始，该区域的表面电势（或能带弯曲）为 。

使用耗尽近似，体耗尽电荷密度为,

硅中的总电荷为，

反型电荷密度是 和 之差：

通过将其代入 并积分，我们得到，

这是长沟道 MOSFET 的基本电流电压特性。