NMOS 线性区漏极电流计算式推导

如上图，源极接地，栅极给电压 ，漏极给电压 。沿着 x，沟道上的电压从栅极到源极线性减小到 0，于是在 处有电压 。在这一点，栅极到沟道的电压就是 。假设其大于阈值电压，于是有这一点的电荷为，

其中， 为栅氧单位面积电容，

栅氧单位面积电容计算式

为栅氧的介电常数； 为栅氧的厚度。

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电流是载流子漂移速度 和所存在电荷的积。 是垂直于电流方向上的沟道有效宽度。有，

[! question] 这里为什么只考虑了沟道宽度？ 因为反型层实际上非常薄，所以我们可以将其看作薄薄的一层电子来计算。

有电子漂移速度和场强的关系，

电子漂移速度

为电子迁移率； 为沿着电子漂移方向的电场强。

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再将以上公式代入电流定义式，并沿着沟道有效长度 积分可得，

从这里可以导出一个工艺跨导参数，

工艺跨导参数计算式

• 为迁移率；
• 为栅氧的单位面积电容；

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