Bulk transistor 是相对于其他类型的晶体管（如绝缘体上硅 SOI 和 FinFET 等）而言的。 在体硅（bulk CMOS）技术中，bulk 指的是晶体管直接制造在硅衬底上，衬底（或者叫做“体区”）与晶体管的源极和漏极连接，通过偏置电压来控制电路性能和漏电流。 这种结构中的体区（bulk）也可以通过连接到不同的电源或地电压来影响晶体管的特性，称为体效应（body effect）。