耿氏二极管 I-V 特性推导

[! reference] “10.3 THE GUNN DIODE” (Streetman和Banerjee, 2015, p. 548)

这里给出一个大概的推导，理解趋势的变化即可。 有 I-V 关系（J-E 关系）为 ，所以我们从导电率的变化就能看出 I-V 特性的变化。

此时电子全部都囤积在低导带上，所以有电导率为，

此时，随着电压的增加，电子的速度线性增加。

随着电压超过临界值，电子开始向状态密度更大、迁移率更小的卫星谷迁移，由此导致导电率为负。

此时电子已经基本全部迁移到卫星谷中，以更低的迁移率随着电压增加速度。