BJT 结构

BJT 可以分为三个不同掺杂的半导体区域，发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。

发射极为重掺杂 n 型，p 区形成基极，低掺杂 n 区为集电极。

发射极掺杂 远大于基极掺杂 ，同时也是最小的区域。这样能确保器件具有高电流增益，即小的基极电流变化产生大的集电极电流变化。

基极区位于发射极和集电极之间，由轻掺杂、高电阻率材料制成。基极环绕着发射极区域。

集电极环绕着基极区域，一般为低掺杂区域。一般也会有一个重掺杂的子集电极（sub-collector）用于给集电极提供一个低阻路径（见下图 掺杂的集电极区域）