首先是需要认识到 BJT 是两个 PN 结反向串联,并且因为基极很薄所以靠得非常近。
当施加正向偏置电流的时候,n 型发射极中的电子通过扩散或漂移通过 BE 结的势垒进入基极成为少子。
随后少子穿过薄基区,并被 BC 结的高电场扫入集电极并提供电流。
同时,输入的基极电流也会分为两个部分,一部分空穴会从基极注入到发射极,另一部分会与基极中多余的电子复合。即上图中的 I 和 II 两部分。
首先是需要认识到 BJT 是两个 PN 结反向串联,并且因为基极很薄所以靠得非常近。
当施加正向偏置电流的时候,n 型发射极中的电子通过扩散或漂移通过 BE 结的势垒进入基极成为少子。
随后少子穿过薄基区,并被 BC 结的高电场扫入集电极并提供电流。
同时,输入的基极电流也会分为两个部分,一部分空穴会从基极注入到发射极,另一部分会与基极中多余的电子复合。即上图中的 I 和 II 两部分。