GaAs 能带结构 砷化镓是一种直接间隙材料，电子有效质量较小。其能带结构如图， GaAs能带结构表达式 为约化普朗克常数； 为波数；指向原始笔记的链接 用非抛物线近似能更好地表达这个关系， GaAs能带结构非抛物线近似表达式 指向原始笔记的链接 谷的有效质量远大于 谷。对于砷化镓，。这种质量差异对于高电场传输极为重要。
