CMOS

高密度集成电路通常使用互补 MOS (CMOS)，其中同时使用 n 沟道和 p 沟道器件。 • 该技术非常成熟，具有功耗要求低、单位成本低的优点。 • 大多数射频和微波 MOSFET 使用 n 沟道硅器件，但也可以使用 GaN 器件。 • MOSFET 的小信号等效电路与 MESFET 的小信号等效电路相同，如图 2 所示。散射参数适用于大多数用于高频应用的 nMOS 器件。