齐纳击穿

齐纳击穿（Zener Breakdown）是一种半导体器件中的击穿现象，它是通过逆向电压下的载流子隧穿效应引起的。

发生原因

在高掺杂浓度的 PN 结中，P 区与 N 区的间距较窄，一定的反偏电压的场强足以直接将电子从耗尽层内的共价键拉出并产生电流（隧穿效应），最终致使势垒区瓦解。该电压称为齐纳击穿电压，齐纳击穿也被称为隧道击穿。