PN 结是由一片半导体单晶体上制作出的 P区和 N区以及中间的耗尽层 构成的。 在 P 区和 N 区的交界处由于存在浓度差，P 区的多子空穴向 N 区扩散，N 区的多子自由电子向 P 区扩散，形成从 P 区指向 N 区的多子电流。 因为热运动，P 区和 N 区中的少子会进入空间电荷区，在内建电场的漂移作用下，形成方向与多子电流相反的少子电流。当扩散与漂移达到动态平衡后，空间电荷区不再变宽。
