Jsd=表面的速度 X 表面的浓度 考虑反向电流是一个开方的增加。
热电子发射理论
教材9.1.4
关于扩散理论
肖特基二极管能带图 重要的三点 耗尽的宽度 Xd 势垒来源于电场
当外加正偏电压时，势垒变低
若考虑电场分布，则是一条直线，其围住的面积则为耗尽区的压降
高斯定理或泊松方程可以得出电场的斜率。
热电子发散理论的要点
半导体一侧的电子 只有电子超过势垒能级才能越过势垒
若所拥有的动能完全来自于所处的能量-Ec
主要是 B 势垒高度。 势垒高度越大，电流会指数减小
A 是真空的理查德常数
金属一侧
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非理想因素
镜像力，如电子在靠近金属时形成的库仑力，使得势垒降低
隧道效应