20220323 ch4
复习
以上公式只适用于导带和价带。?
施主杂质电离能
施主杂质电离能:
受主杂质电离能同理。
若要有效地提供电子和空穴,则施主杂质电离能和受主杂质电离能越小越好。 P 型半导体如 SiC 和 GaN 很难电离,100-300meV
同时掺杂
由于发生杂质补偿,最后得到的等效掺杂浓度为,
电子占据杂质能级的概率
由于回来的方式有两种,自旋向上和自旋向下。
电子的基态简并度为 2
电子从杂质能级电离的概率
计算电离比例
电中性
高级方法
浓度和温度的关系
成反 S 曲线。 杂质不可能 100%电离,一般最高 95%,约 200k。
饱和、过度和本征激发区内电子浓度
电中性条件
韦达定理求解
为什么掺杂越多,电离比例越低: 导带能级电子越多,导带能级被电子占据的概率越大,由此可知费米能级上升,由此可知杂质能级被占据的概率增大大,于是电离概率越小。
绝对零度下,费米能级在施主能级和导带底之间。
低温弱电离
温度极低的时候,费米能级在 Ec 和 Ed 中间;温度极高的时候,费米能级在 Ea 和 Ev 之间。