在铜双栅孔工艺中，首先沉积中间层介电层，然后进行金属沉积，并进行平坦化处理，以去除多余的金属。其中，一种通过先蚀刻通孔再蚀刻沟槽的via-first铜双栅孔工艺也被介绍，该工艺可以先定义下层互连，然后进行中间层介电层的沉积和加工。