Deal-Grove 模型

氧化过程发生在 Si／SiO，界面处（对于初始氧化层厚度＞6nm 的情况），可以分为以下三个过程。

气相限制

氧气通过扩散，穿过滞留层到达硅片表面。

氧气的输运流 ：

为气体中氧气的浓度； 为硅片表面氧气浓度。

扩散限制

此时氧气的扩散由 和 来决定。

为吸附的硅片表面的氧气浓度； 为二氧化硅和硅的界面的氧气浓度。

反应限制

到达了二氧化硅与硅表面的氧与硅反应生成二氧化硅的过程。

附录

笔记来源