肖特基势垒

肖特基势垒是一种半导体器件中的势垒，通常形成在金属与半导体的接触界面。这种势垒是由于金属的电子与半导体的电子结构之间的差异而产生的。在肖特基势垒形成的地方，金属一侧的电子能级与半导体一侧的电子能级之间存在一个能量差，形成了一个势垒。

这个势垒可以阻止电子从金属向半导体移动，但允许电子从半导体向金属移动。因此，肖特基势垒在半导体器件中的应用很广泛，例如在肖特基二极管中。在这种二极管中，通过调整金属和半导体的材料选择和界面工程，可以控制肖特基势垒的高度，从而调节二极管的性能。