反应离子蚀刻是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空) 环境下由电磁场（电容耦合等离子体源）产生，等离子体中的高能离子轰击晶片表面并与之反应。