CVD工艺流程

CVD 工艺过程包括：

1. 反应物输运到淀积区域；
2. 反应物从主气流穿过边界层输运到晶片表面；
3. 反应物吸附在晶片表面；
4. 表面作用，包括化学分解或反应，在表面迁移向吸附位置等；
5. 副产物的解吸；
6. 副产物穿过边界层回到主气流中；
7. 副产物离开淀积区域排走。

一般为了促成化学反应，施加的激励为温度。如果是在低温区，限制整个 CVD 过程的是化学反应速度；如果是在高温区，则是质量输运速率限制了 CVD。