| 特性 | CVD | ALD |
|---|---|---|
| 沉积温度 | 高 | 中等 |
| 沉积机理 | 气相沉积，直接反应 | 气相沉积，表面化学反应 |
| 膜厚控制 | 难以精确 | 十分精确 |
| 沉积均匀性 | 取决于反应室设计和反应气体流动性 | 沉积均匀 |
| 沉积速率 | 高 | 低 |
| 应用 | 大面积薄膜沉积 | 器件制造中的原子级控制和纳米级薄膜沉积 |
| 特性 | CVD | ALD |
|---|---|---|
| 沉积温度 | 高 | 中等 |
| 沉积机理 | 气相沉积，直接反应 | 气相沉积，表面化学反应 |
| 膜厚控制 | 难以精确 | 十分精确 |
| 沉积均匀性 | 取决于反应室设计和反应气体流动性 | 沉积均匀 |
| 沉积速率 | 高 | 低 |
| 应用 | 大面积薄膜沉积 | 器件制造中的原子级控制和纳米级薄膜沉积 |