临近效应校正

临近效应校正是一种常用的光刻技术，用于解决微纳米尺度下的光刻图形失真问题。其原理是利用光刻胶与掩模（mask）之间的空气间隙，通过对掩模图形进行改良，来实现更精确的图案复制。

临近效应校正的优点是可以大幅提高光刻胶的精度和重复性，避免图案失真和形状不规则。然而，临近效应校正也存在着一些缺点，比如计算量大、需要经验和技巧、在一些情况下可能会导致掩模的损伤。