外延晶体生长是一种半导体材料生长技术,通常用于制造晶体管、LED、激光器等器件。在外延生长过程中,通过在已有的晶体表面上沉积材料,逐渐扩展晶体的大小,从而获得高质量、大尺寸的单晶体。
在外延生长过程中,通常使用的是金属有机化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)技术。
外延晶体生长是一种半导体材料生长技术,通常用于制造晶体管、LED、激光器等器件。在外延生长过程中,通过在已有的晶体表面上沉积材料,逐渐扩展晶体的大小,从而获得高质量、大尺寸的单晶体。
在外延生长过程中,通常使用的是金属有机化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)技术。