MOCVD 前体的特性

能作为 MOCVD 前体的特性需求如下：

1. 饱和蒸气压 (SVP) 在理想情况下应在 0-100度温度范围内110 mbar 的范围内20°C。
2. 在室温下长期稳定。
3. 将在所需的生长温度下有效反应。
4. 反应产生稳定的离去基团。
5. 避免不需要的副反应，例如聚合。