宏观负载效应

概念

所谓宏观负载效应，是因刻蚀总面积的增加而导致的整体刻蚀速率下降。当刻蚀面积仅占样品总体面积 1％的情况字下，硅刻蚀最高达到 50μm／min；而当刻蚀面积占样品总体面积 20％时，最高刻蚀速率只能达到 30μm／min。这使刻蚀速率的控制变得十分困难，因为同样的刻蚀工艺参数对不同设计图形可能会得到不同的刻蚀深度。这也提示，在刻蚀每一种不同设计图案之前，必须首先通过实验摸索出相应的最佳刻蚀参数。

附录

笔记来源