高纵横比的光刻胶图案，是指在微纳加工中制备出的具有高高宽比（Aspect Ratio）的细小几何图形，通常用于制备微电子器件的细小结构。这些结构包括微机电系统（MEMS）、纳米线、光子晶体、生物芯片、集成电路等微型器件，需要使用高精度的光刻技术。