n 沟道 MOSFET 输出特性曲线

非饱和区

当满足以下条件时

MOSFET 处于截止状态，形成了约 的电阻。

线性区

当 十分小的时候，沟道内各点电势近似为 0，沟道中各点自由电子浓度近似相等。沟道等同于一个阻值与 VDS 无关的电阻，故 ID 与 VDS 呈近似线性关系，斜率与 成正比。此时的漏极电流为

定义工艺跨导参数

n 沟道 MOSFET 的器件跨导参数

为电子迁移率 ()； 为单位面积栅氧化层电容 ()

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过渡区

当 较大但是小于有效电压的时候，漏源电压不再和漏极电流成线性关系，漏极电流满足

饱和区

当满足以下条件时

当漏源电压大于阈值电压时，沟道被夹断，此时的电流几乎恒定

随着 继续增大，沟道夹断点向源极移动，沟道和漏区之间形成耗尽区。电子在耗尽区内部的漂移速度达到了饱和速度。ID 达到饱和不再随 VDS 的变化而变化，但在实际的测试中，会发现斜率并不为 0，ID 依旧变化，这是因为发生了沟道长度调制效应和漏区静电场的反馈作用。