20220322 ch5
MOSFET电流
在V_DS small的时候，有i_D为，
在i_DS小的时候，MOSFET处于线性电阻区
做设计的时候，只能调整宽长比
若增加漏源电压，会导致右边沟道变薄
需要牢记的公式
临界的时候，有
因此工作在放大区的条件有： v_DS>v_th V_DS>V_DSOV(v_OV)
P沟道MOSFET
放大条件
CMOS
大部分情况下都是CMOS。
电流电压特征
电路符号
通常情况下，s和B接在一起。 图（a）箭头是 P指向N 图（b）（c）箭头表示电流流向
i-v特征
三个区
实际上因为电阻并非无穷大，电流还是会随着电压增加而增加
MOSFET实际上是一个VCCS（电压控制电流源）
控制关系满足一个不等间隔的平行线，是一个平方律的关系 四个区 深度线性区
大信号模型
