20220408 ch5
推导爱因斯坦关键式
在具有掺杂梯度存在的情况下,半导体内部会建立一个电场来阻止电子或空穴的扩散。 若此时将左右两端短接。
探究迁移率和扩散比例之间的关系。
研究浓度和能量之间的关系。
电子迁移率 1350 ,电子迁移率是空穴的 3 倍 电子的扩散系数也是空穴的 3 倍
电子的扩散梯度大 11 个数量级,空穴可以忽略
在具有掺杂梯度存在的情况下,半导体内部会建立一个电场来阻止电子或空穴的扩散。 若此时将左右两端短接。
探究迁移率和扩散比例之间的关系。
研究浓度和能量之间的关系。
电子迁移率 1350 ,电子迁移率是空穴的 3 倍 电子的扩散系数也是空穴的 3 倍
电子的扩散梯度大 11 个数量级,空穴可以忽略