20220323 ch4

复习

为什么一般半导体的费米能级在中央:因为一般半导体是电中性的,意味着电子和空穴的浓度相当,费米能级必然在中间。 电子占据能带某个能级的概率:

以上公式只适用于导带和价带。

施主杂质电离能

施主杂质电离能:

受主杂质电离能同理。

若要有效地提供电子和空穴,则施主杂质电离能和受主杂质电离能越小越好。 P 型半导体如 SiC 和 GaN 很难电离,100-300meV

同时掺杂

由于发生杂质补偿,最后得到的等效掺杂浓度为,

电子占据杂质能级的概率

由于回来的方式有两种,自旋向上和自旋向下。

电子的基态简并度为 2

电子从杂质能级电离的概率

计算电离比例

电中性

给定,求电离比例。 电子全部来自于导带,空穴来电离后的杂质能级以及价带里的空穴 电中性条件: ,大部分情况下 可以忽略,由此求得费米能级。

高级方法

浓度和温度的关系

成反 S 曲线。 杂质不可能 100%电离,一般最高 95%,约 200k。

饱和、过度和本征激发区内电子浓度

电中性条件

韦达定理求解

为什么掺杂越多,电离比例越低: 导带能级电子越多,导带能级被电子占据的概率越大,由此可知费米能级上升,由此可知杂质能级被占据的概率增大大,于是电离概率越小。

绝对零度下,费米能级在施主能级和导带底之间。

低温弱电离

温度极低的时候,费米能级在 Ec 和 Ed 中间;温度极高的时候,费米能级在 Ea 和 Ev 之间。