漂移电流密度是由于电荷载流子（如电子或空穴）在电场作用下产生的电流密度。在半导体中，当施加一个电场时，载流子将受到电场力的作用而产生漂移运动，这种运动导致载流子流动并形成电流。漂移电流密度的大小与电子和空穴的迁移率、电场强度以及载流子浓度有关。
漂移电流密度定义式
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为电荷； 为体密度； 为平均速度。
在实际晶体中，晶体缺陷（如：(i) 掺杂物，(ii) 重组中心，(iii) 声子）会导致载流子非弹性散射。载流子将失去能量，并从一个随机的新方向开始。因此，载流子只能在均匀场中获得稳定的漂移速度。当场为零且温度有限时，载流子仅在热能作用下做随机布朗运动。
电场作用
在电场的存在下，电子获得了能量和净动量。由此导带电子分布不再对称。
计算公式
总漂移电流密度是由电子漂移密度和空穴漂移密度组成。分别由欧姆定律给出。
电导率公式
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是电子电荷； 是电子浓度； 是电子的迁移率。
电子漂移电流密度公式
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为电子电荷； 为电子浓度； 为电子迁移率
空穴漂移电流密度公式
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为电子电荷； 为空穴浓度； 为电子迁移率
总漂移电流密度
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