当 IGBT 处于导通状态时, 集电极电流会造成缓冲层中的少数载流子浓度升高, 这会使得 N 型基区的势垒降低, 进而使集电极电流增大, 这就是 IGBT 的擎住效应。
擎住效应的主要原因是 IGBT 的正反馈效应所致。当集电极电流增加时, 会注入更多少数载流子到 N 型基区, 使势垒降低, 这又会导致集电极电流进一步增加, 形成正反馈, 最终使 IGBT 产生擎住失效。
为了抑制擎住效应, 需要在 IGBT 中引入负反馈效应。常用的方法有: 优化 IGBT 内部结构设计, 引入正反馈电容; 使用等离子体注入形成隔离区; 使用正束结构等。正确抑制擎住效应对提高 IGBT 使用安全性至关重要。