集成电路对金属化的主要要求
金属与半导体接触
- 肖特基接触
- 欧姆接触
- 高掺杂后利用遂穿机制形成欧姆接触
- 硅化物的使用
金属作为互联线
集成电路对互连金属的基本要求
- 有良好的导电性；
- 容易与 N 型、P 型硅形成低阻欧姆接触；.
- 与硅和二氧化硅等有良好的粘附性；
- 易于淀积和刻蚀，便于键合；
- 性能稳定可靠；
- 互连线对台阶的覆盖率要好。
局部互联
重掺杂多晶硅
用重掺杂多晶硅代替金属 AI 作为 MOS 器件的栅极材料并形成互连，可与 AI 金属层一起形成一种双层布线结构。电阻率较高，只用于局部互连。
难熔金属硅化物
Ti，Mo，W，Ta 等及其硅化物。采用“难熔金属硅化物／多晶硅”复合栅和互连结构，直接在多晶硅上淀积难熔金属，加热形成硅化物。工艺与现有硅栅工艺相容，已被广泛应用于 VLSI 中。
要求
提高抗电迁徙能力、减小 RC 延迟成为两个主要的要求，Al 布线被 Cu 布线取代； 为简化工艺，多晶硅和硅化物也被用作“局部互连”
附录
笔记来源