电感耦合等离子体化学气相沉积

ICP-CVD提供了离子能量和离子电流密度的独立控制。在ICP源中产生高密度等离子体意味着该技术可以在低温低损伤的情况下沉积高质量的介电薄膜。低温沉积意味着可以成功地制备温度敏感的薄膜和器件。

应用标准

标准应力 SiN 工艺

= 7/6 sccm, ICP/Platen = 100/0 W, 4mtorr, 25°C。

该工艺适用于室温下的低损伤 沉积。样品表面必须非常干净，以获得良好的薄膜附着力和低针孔。沉积速率约为 16 nm/min。折射率在 1.99 到 2.00 之间。应力为压缩~ 100 MPa。ICP-CVD 薄膜的氢含量低于 3%。击穿电场大于 3 MV/cm

高应力 SiN 工艺

= 7/6 sccm, ICP/Platen = 200/0 W, 4mtorr, 25°C。

该工艺适用于室温高应力 沉积。样品表面必须非常干净，以获得良好的薄膜附着力和低针孔。沉积速率约为 15 nm/min。折射率在 1.99 ~ 2.00 之间。应力为压缩~ 3gpa。ICP-CVD 薄膜的氢含量低于 3%。击穿电场大于 3 MV/cm

附录

笔记来源